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Laird, J. S.; 平尾 敏雄; 小野田 忍*; 森 英喜*; 伊藤 久義
Proceedings of 5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, p.155 - 160, 2002/10
近年の情報化社会の急速な発展に伴って、高速応答光デバイスの需要が高まってきている。特に、InGaAsに代表されるIII-V族化合物半導体素子は、その高速応答性から非常に注目されている。これらの半導体素子を宇宙環境で使用する際、宇宙放射線による高速応答特性の劣化することは深刻な問題である。われわれは、代表的な宇宙放射線の1つである電子線をInGaAs素子に照射し、その高速応答特性の劣化を調べた。2MeV電子線の照射量が1E15/cm
を超えると、高速応答特性が急激に劣化することがわかった。高速応答特性の劣化原因は、半導体素子中のキャリア移動度及び電界強度の劣化で説明することができた。
研究業務評価検討アドホック委員会
JAERI-Review 2002-019, 139 Pages, 2002/08
JAERI-Review-2002-019.pdf:13.42MB
原研では、政府の「特殊法人等合理化計画」策定に先立つこと約半年前の、平成13年7月に「原研研究業務評価検討アドホック委員会」を設立し、民間シンクタンクの協力や所外有識者による助言を得つつ、(1)原子力エネルギー研究開発,(2)放射線利用技術開発と応用及び(3)原子力基礎基盤の確立の3研究開発分野を評価対象とした定量評価を実施した。定量評価が現時点では困難と判断される国の施策への貢献等の分野では定性評価を実施した。費用対効果では、例えば、「軽水炉技術の確立」にかかわるこれまでの研究開発成果を、新たな電力供給源としての市場創出への貢献として定量評価し、その投資効果率を1.5と試算した。また「放射線利用研究」については、その投資効果率を1.0と資産した。本定量評価の試みは、折しも平成13年12月19日の閣議決定された「特殊法人等整理合理化計画」において示された「研究成果をできる限り計量的な手法(貨幣換算)で国民にわかり易く示すこと」等の方針にも応えるものとなった。
Laird, J. S.; 平尾 敏雄; 森 英喜*; 小野田 忍*; 神谷 富裕; 伊藤 久義
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.87 - 94, 2001/07
被引用回数：65 パーセンタイル：96.68(Instruments & Instrumentation)半導体デバイスに高エネルギー荷電粒子が入射すると、シングルイベント現象と呼ばれるデータ反転や故障が発生する。われわれは、シングルイベント発生の機構解明を目的として、入射イオン1個で半導体中に誘起される電荷の伝搬挙動を明らかにするため、イオンマイクロビームを用いた計測技術TIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)、レーザを用いた計測技術TLBIC(Transient Laser Beam Induced Current)、並びに専用のデータ収集システムを新たに開発した。本報告では、開発した計測技術の概要に加え、TIBICシステムを用いて取得した15MeV炭素及び酸素イオン照射時のシリコンダイオード、ガリウム砒素ダイオード及びシリコントランジスタ(MOSFET)におけるシングルイベント過渡電流波形と電荷収集マッピングデータについても紹介する。
Laird, J. S.; 平尾 敏雄; 小野田 忍*; 森 英喜*; 伊藤 久義
Solid State Phenomena Vol.78-79, p.401 - 406, 2001/07
われわれはシングルイベント発生の機構を解析し耐シングルイベント素子開発の指針となるデータを蓄積し、シミュレーション解析を実施している。さらに、入射イオン1個で半導体中に誘起される電荷の伝搬挙動を明らかにするために、イオンマイクロビームとレーザを用いた新たなデータ収集システムを開発をした。本国際会議では、開発した計測技術の概要に加え、TIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)システムを用いて取得した15MeV酸素イオン照射時のシリコンダイオードに対するシングルイベント過渡電流波形の温度の影響、さらにガリウム砒素ダイオード及びMOSFETにおけるシングルイベント過渡電流波形と電荷収集マッピングデータ、レーザを用いて得られたシリコンダイオードの接合部マッピング等について紹介し、議論を行う。
Laird, J. S.; 平尾 敏雄; 森 英喜*; 小野田 忍*; 伊藤 久義
Proceedings of 4th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, p.97 - 102, 2000/00
入射粒子1個により発生するシングルイベント過渡電流波形とIBICの測定を同時に行える新たな測定システム(TIBIC)とレーザを用いたLIBICを開発した。このシステムを使用することによって、放射線損傷の影響が少なく、イオンの入射位置での影響も同時に測定できるなど、より詳細なシングルイベント発生機構の解明に必要な情報の取得が可能となった。本会議では、TIBICシステムを用いて取得した15MeV炭素及び酸素イオン照射時のガリウム砒素ダイオード及びMOSFETにおけるシングルイベント過渡電流波形と電荷収集マッピングデータ、レーザを用いて得られたシリコンダイオードの接合部マッピング、さらにシリコンダイオードでのシングルイベント過渡電流波形の照射中の温度との関係等を述べるとともに、今後の研究内容についての紹介を行う。
